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FGD5T120SH

1200 V, 5 A FS Trench IGBT

Features • FS Trench Technology, Positive Temperature Coefficient • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat) =2.9 V @ IC = 5 A • 100% of the Parts tested for ILM(1) • High Input Impedance • RoHS Compliant Applications • Inrush current limitation • Lighting • Home app

文件:597.05 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGD5T120SH

1200 V, 5 A FS Trench IGBT

文件:532.18 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FGD5T120SH

IGBT,1200V,5A,FS 沟槽

ONSEMI

安森美半导体

QSC5T120A

3mm Photo Transistor

文件:491.65 Kbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

QSC5T120B

3mm Photo Transistor

文件:491.82 Kbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • V(BR)CES Typ (V):

    1200

  • IC Max (A):

    5

  • VCE(sat) Typ (V):

    2.9

  • Eoff Typ (mJ):

    0.94

  • Eon Typ (mJ):

    0.247

  • Gate Charge Typ (nC):

    6.7

  • PD Max (W):

    69

  • Co-Packaged Diode:

    No

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FGD5T120SH供应商 更新时间2025-11-30 23:00:00