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FGAF40N60SMD	文件：512.539 Kbytes Page：11 Pages	Marking：FGAF40N60SMD；Package：TO-3PF；600 V, 40 A Field Stop IGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONsemiconductor’s newseriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplications wherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •MaximumJuncti	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FGAF40N60SMD

文件：512.539 Kbytes

Page：11 Pages

Marking：FGAF40N60SMD；Package：TO-3PF；600 V, 40 A Field Stop IGBT

GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONsemiconductor’s newseriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplications wherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •MaximumJuncti

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
FGAF40N60SMD
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，40A
开关能量：
870µJ（开），260µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/92ns
测试条件：
400V，40A，6 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3 整包
供应商器件封装：
TO-3PF
描述：
IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF

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更多FGAF40N60SMD供应商更新时间2025-6-22 22:59:00

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