Ultrafast IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：FGAF40N60SMD；Package：TO-3PF；600 V, 40 A Field Stop IGBT

General Description Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • Maximum Juncti

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ONSEMI

安森美半导体

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=3.0V@IC=20A · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · General Inverter · PFC

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ISC

无锡固电

600 V, 40 A Field Stop IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

Ultrafast IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

High Speed Switching

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FAIRCHILD

仙童半导体

Ultrafast IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

High Speed Switching

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FAIRCHILD

仙童半导体

IGBT，600V，40A，场截止

飞兆半导体的新型场截止第2代 IGBT 系列采用创新型场截止 IGBT 技术，为消费类电器、运动控制和家用电器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •最大结温 TJ = 175°C\n•正温度系数，易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压： VCE(sat) = 1.9V（典型值） IC = 40A 时\n•高输入阻抗\n•快速开关： EOFF =6.5uJ/A\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准;

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安森美半导体

IGBT，600V，PT

飞兆半导体的 IGBT UF 系列可提供低导通和开关损耗。UF系列设计用于需要高速开关特性的一般逆变器和PFC等应用。 •高速开关：Eoff =12uJ/A\n•低饱和电压：VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A\n•高输入阻抗;

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安森美半导体