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FGAF40N60UFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V，PT IGBT 安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •高速开关： Eoff =12uJ/A\n•低饱和电压： VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A\n•高输入阻抗;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGAF40N60SMD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGAF40N60UFTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A TO3PF	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
600
IC Max (A)：
40
VCE(sat) Typ (V)：
1.9
VF Typ (V)：
2.3
Eoff Typ (mJ)：
0.26
Eon Typ (mJ)：
0.87
Trr Typ (ns)：
110
Gate Charge Typ (nC)：
119
PD Max (W)：
115
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-3PF-3L

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更多FGAF40N60供应商更新时间2026-1-18 11:09:00

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