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FDMS8350LET40中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,300A,0.85mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8350LET40

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,300A,0.85mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 13:44:00

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FDMS8350LET40规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。

特性 Features

• 最大 rDS(on) = 0.85 mΩ(VGS = 10 V、ID = 47 A)
• 最大 rDS(on) = 1.2 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 38 A)
• 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 rDS(on)和高效率
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8350LET40

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :300

  • PD Max (W)

    :125

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :0.85

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :38

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :73

  • Ciss Typ (pF)

    :11850

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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