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FDMS8350LET40

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,300A,0.85mΩ

此 N 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 0.85 mΩ(VGS = 10 V、ID = 47 A)\n• 最大 rDS(on) = 1.2 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 38 A)\n• 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 rDS(on)和高效率\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS8350LET40

丝印:FDMS8350LET;Package:Power56;MOSFET N?륝hannel POWERTRENCH

文件:432.73 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDMS8460

QFN

FAIRCHILD/仙童

FDMS86101

DFN5x6

FAIRCHI

FDMS86101

Power 56

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    300

  • PD Max (W):

    125

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    1.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    0.85

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    38

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    73

  • Ciss Typ (pF):

    11850

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMS8350LET40供应商 更新时间2026-3-18 16:13:00