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FDMS8320L中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,248A,1.1mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8320L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,248A,1.1mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:28:00

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FDMS8320L规格书详情

描述 Description

该 N 沟道 MOSFET 专为使用同步或传统开关 PWM 控制器来改进总体效率和在最大程度上减少 DC/DC 转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低 rDS(on)、快速开关速度和二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

• 最大 rDS(on) = 1.1 mΩ(VGS = 10 V、ID = 32 A)
• 最大 rDS(on) = 1.5 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 27 A)
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8320L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :248

  • PD Max (W)

    :104

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :58

  • Ciss Typ (pF)

    :8350

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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