FDMS8320L中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,248A,1.1mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS8320L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道 MOSFET 专为使用同步或传统开关 PWM 控制器来改进总体效率和在最大程度上减少 DC/DC 转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低 rDS(on)、快速开关速度和二极管反向恢复性能进行了优化。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 1.1 mΩ(VGS = 10 V、ID = 32 A)
• 最大 rDS(on) = 1.5 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 27 A)
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
:FDMS8320L
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:40
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:248
- PD Max (W)
:104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:1.1
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:58
- Ciss Typ (pF)
:8350
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
14+ |
TDSON-8 |
3 |
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Fairchild |
20+ |
原装 |
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ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN5X6 |
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QFN8 |
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ONSEMI |
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ONSEMI/安森美 |
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PQFN-8 |
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