FDH45N50F中文资料功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,500 V,45 A,120 mΩ,TO-247数据手册ONSEMI规格书
FDH45N50F规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此,它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 120mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 22.5A
•低栅极电荷(典型值 105nC)
•低 Crss(典型值 62pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDH45N50F
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
:500
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:45
- PD Max (W)
:625
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:120
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:105
- Ciss Typ (pF)
:5100
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
24+ |
TO-247 |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
AIRCHILD |
24+ |
TO3P |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-247TO-3PTO-3PF |
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ON/安森美 |
2023+ |
TO-247 |
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Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
标准封装 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO247 |
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原装正品,假一罚十! |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
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ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-247 |
30000 |
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