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FDH45N50F	文件：1.13791 Mbytes Page：7 Pages	500V N-Channel MOSFET, FRFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：1.13791 Mbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDH45N50F	文件：325.09 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-247 package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications 文件：325.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDH45N50F	文件：372.17 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 120mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Lighting ·Uninterruptible Power Supply ·AC-DC Power Supply 文件：372.17 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDH45N50F	文件：345.47 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 120mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Lighting ·Uninterruptible Power Supply ·AC-DC Power Supply 文件：345.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDH45N50F	文件：980.91 Kbytes Page：3 Pages	50A,500V N-Channel Type Planar Process Power MOSFET General Description This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using THINKI Semiconductor advanced planar stripe, DMOS technology intended for off-line switch mode power supply. Also, especially designed to minimize rds(on) and high rugged avalanche characteristics. The TO-247 文件：980.91 Kbytes 页数：3 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
FDH45N50F	文件：1.08493 Mbytes Page：7 Pages	500V N-Channel MOSFET, FRFET 文件：1.08493 Mbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDH45N50F-F133	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDH45N50F_0605	文件：1.08493 Mbytes Page：7 Pages	500V N-Channel MOSFET, FRFET 文件：1.08493 Mbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDH45N50F_08	文件：1.26168 Mbytes Page：7 Pages	500V N-Channel MOSFET, FRFET 文件：1.26168 Mbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDH45N50F_F133	文件：1.26168 Mbytes Page：7 Pages	500V N-Channel MOSFET, FRFET 文件：1.26168 Mbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
500
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
45
PD Max (W)：
625
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
120
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
105
Ciss Typ (pF)：
5100
Package Type：
TO-247-3

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