功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，45 A，120 mΩ，TO-247

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功 •RDS(on) = 120mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 22.5A\n•低栅极电荷（典型值 105nC） \n•低 Crss（典型值 62pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

50A,500V N-Channel Type Planar Process Power MOSFET

ThinkiSemi

思祁半导体