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FDH45N50F中文资料思祁半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDH45N50F

功能描述

50A,500V N-Channel Type Planar Process Power MOSFET

文件大小

980.91 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

THINKISEMI

中文名称

思祁半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 20:00:00

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FDH45N50F规格书详情

General Description

This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using THINKI Semiconductor advanced planar stripe, DMOS technology intended for off-line switch mode power supply.

Also, especially designed to minimize rds(on) and high rugged avalanche characteristics. The TO-247 pkg is well suited for adaptor power unit and power inverter/amplifier application.

特性 Features

■ High ruggedness

■ RDS(on)(Max.0.12 Ω )@VGS=10V, ID =20.0A

■ Gate Charge (Typical 101nC)

■ Improved dv/dt Capability

■ 100 Avalanche Tested

产品属性

  • 型号:

    FDH45N50F

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET FRFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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