FDD86250中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，150 V，51 A，22 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD86250规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22mΩ
•VGS = 6 V，ID = 6.5 A时，最大rDS(on) = 31 mΩ
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD86250
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：51
- PD Max (W)
：132
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12.8
- Ciss Typ (pF)
：1585
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
25+ |
DPAK(TO-252) |
21000 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
SOT252 |
1370 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2026+ |
TO-252 |
168 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO252 |
50000 |
原装品质,专业护航,省心采购,就选橙椒科技! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-252 |
8238 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
DPAK(TO-252) |
9357 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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