FDD86250中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，150 V，51 A，22 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD86250规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22mΩ
•VGS = 6 V，ID = 6.5 A时，最大rDS(on) = 31 mΩ
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD86250
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：51
- PD Max (W)
：132
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12.8
- Ciss Typ (pF)
：1585
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
ON |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON |
23+ |
ON |
20000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
D-PAK(TO-252) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
D-PAK(TO-252) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
18014 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
