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FDD3706中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,50A,9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD3706

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,50A,9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDD3706规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极点和低RDS(ON)、快速开关和超低RDS(ON)进行了优化,采用小型封装。

特性 Features

•-50 A,-20V。
•RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 11 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 16 mΩ(VGS = -2.5V)
•低栅极电荷(16nC,典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD3706

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :50

  • PD Max (W)

    :44

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :16

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :11

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :1882

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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