FDD3706中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,50A,9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD3706规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极点和低RDS(ON)、快速开关和超低RDS(ON)进行了优化,采用小型封装。
特性 Features
•-50 A,-20V。
•RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 11 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 16 mΩ(VGS = -2.5V)
•低栅极电荷(16nC,典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD3706
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:20
- VGS Max (V)
:12
- VGS(th) Max (V)
:1.5
- ID Max (A)
:50
- PD Max (W)
:44
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:16
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:11
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:16
- Ciss Typ (pF)
:1882
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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