FDC658P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC658P规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合笔记本电脑应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
特性 Features
•-4A，-30V。 VGS = -10 V时，RDS(ON) = 0.050 Ω；VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.075 Ω
•低栅极电荷（典型值8nC）。
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(ON)。
•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC658P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-4
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：750
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TSOP-6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAI |
24+ |
SOT23-6 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
0642+ |
6/SOT163 |
1466 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
P-MOSFET/-30V/-4A/50MΩ |
2711 |
正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1922+ |
SOT23 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23-6 |
12000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |
