FDC658P中文资料单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC658P规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合笔记本电脑应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
特性 Features
•-4A，-30V。 VGS = -10 V时，RDS(ON) = 0.050 Ω；VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.075 Ω
•低栅极电荷（典型值8nC）。
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(ON)。
•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC658P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-4
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：750
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
25+ |
SOT23-6 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
SOT23-6 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAR |
25+ |
SOP |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
SOT-23-6 |
28197 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TSOP-6 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT163 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
询价 | ||
23+ |
原厂封装 |
11888 |
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询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
