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FDC658P

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited f

文件:249.44 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDC658P

单 P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4A,50mΩ

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合笔记本电脑应用: 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。 •-4A,-30V。 VGS = -10 V时,RDS(ON) = 0.050 Ω;VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.075 Ω\n•低栅极电荷(典型值8nC)。\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(ON)。\n•SuperSOT™-6封装: 小尺寸(比标准SO-8封装小72%);薄型(1mm厚);

ONSEMI

安森美半导体

FDLL658

General Purpose Diodes

文件:336.14 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FZT658

NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES * 400 Volt VCEO * Low saturation voltage

文件:78.17 Kbytes 页数:2 Pages

ZETEX

FZT658

NPN Silicon Planar High Voltage Transistor

Features ● 400 Volt VCEO ● Low saturation voltage

文件:38.1 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -4

  • PD Max (W):

    1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    75

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    50

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8

  • Ciss Typ (pF):

    750

  • Package Type:

    TSOT-23-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHI
1535+
SOT-23-6
1490
上传都是百分之百进口原装现货
询价
FAIRCHILD
23+
P-MOSFET/-30V/-4A/50MΩ
2711
正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装
询价
ON/安森美
2019+
TSOP-6
78550
原厂渠道 可含税出货
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ON/安森美
20+
TSOP-6
120000
原装正品 可含税交易
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT23-6
154413
明嘉莱只做原装正品现货
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ON/安森美
SMD
23+
6000
专业配单原装正品假一罚十
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NK/南科功率
9420
TSOT-23-6
36520
国产南科平替供应大量
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ON/安森美
2025+
SOT-163
5000
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onsemi
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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ON/安森美
21+
SOT-23
20000
询价
更多FDC658P供应商 更新时间2026-1-19 13:00:00