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FDC658P	文件：249.44 Kbytes Page：8 Pages	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedf	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDLL658	文件：336.14 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FZT658	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO Lowsaturationvoltage	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT658	文件：38.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO ●Lowsaturationvoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT658	文件：89.67 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO>400V •IC=500mAHighContinuousCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)40Specifiedupto200mAforHighCurrentGainHold-Up •ComplementaryPNPType:FZT758 •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT658	文件：267.28 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>400V •IC=500mAHighContinuousCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)40Specifiedupto200mAforHighCurrentGainHold-Up •ComplementaryPNPType:FZT758 •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT658TA	文件：267.28 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>400V •IC=500mAHighContinuousCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)40Specifiedupto200mAforHighCurrentGainHold-Up •ComplementaryPNPType:FZT758 •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
HMC658	文件：476.43 Kbytes Page：8 Pages	WIDEBANDFIXEDATTENUATORFAMILY	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC658	文件：345.26 Kbytes Page：8 Pages	WIDEBANDFIXEDATTENUATORFAMILY,DC-50GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HT658	文件：837.31 Kbytes Page：14 Pages	318SeriesofDecoders GeneralDescription The318decodersareaseriesofCMOSLSIsforremotecontrolsystemapplications.Theyare pairedwiththe318seriesofencoders.Forproperoperationapairofencoder/decoderpair withthesamenumberofaddressanddataformatshouldbeselected(refertotheenco	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰合泰半导体	Holtek

详细参数

型号：
FDC658P
功能描述：
MOSFET SSOT-6 P-CH -30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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