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FDC658AP数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC658AP

功能描述

单 P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4A,50mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDC658AP规格书详情

描述 Description

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•VGS = -10 V,ID = -4A时,最大rDS(on) = 50mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -3.4A时,最大rDS(on) = 75mΩ
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC658AP

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-4

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :75

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :50

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :4.9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6

  • Ciss Typ (pF)

    :470

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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