FDC658AP中文资料单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC658AP规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•VGS = -10 V，ID = -4A时，最大rDS(on) = 50mΩ
•VGS = -4.5 V，ID = -3.4A时，最大rDS(on) = 75mΩ
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC658AP
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-4
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：4.9
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6
- Ciss Typ (pF)
：470
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
FSC |
2023+ |
SOT23-6 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SOT23-6 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
4945 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SuperSOT-6 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
22+ |
SOT23-6 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23-6 |
3000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT23-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
