FDC655BN中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30 V，6.3 A，25 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC655BN规格书详情
描述 Description
该N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 6.3A时，最大rDS(on) = 25mΩ
•VGS = 4.5V，ID = 5.5A时，最大rDS(on) = 33mΩ
•快速开关
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•终端无引线且符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC655BN
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：6.3
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：33
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5
- Ciss Typ (pF)
：470
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT23-6 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAICHILD |
23+24 |
SOT23-6 |
28950 |
专营原装正品SMD二三极管,电源IC |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2404+ |
SOT163 |
3300 |
现货正品原装,假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
19048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SuperSOT-6 |
12000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
3523 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SSOT6 |
24981 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+/25+ |
73983 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
onsemi |
2025+ |
55740 |
询价 |
