FCH104N60

N-Channel SuperFET II MOSFET

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconductionloss,

FCH104N60

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600 V，37 A，104 mΩ，TO-247; •650 V @ TJ = 150°C\n•典型值 RDS(on) = 96 mΩ\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 63 nC)\n•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 280 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n;

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。

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N-Channel SuperFET짰 II MOSFET

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides

FCH104N60F

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

FCH104N60F

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，600 V，37 A，104 mΩ，TO-247; • RDS（开）=104 mΩ (最大值)\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 107 nC)\n•低效输出电容100%经过雪崩测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS Compliant\n;

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

FCH104N60F_F085

N 沟道，SuperFET II™ FRFET MOSFET 600V，37A，91mΩ; • 典型值 RDS(on) = 91 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n• 典型值 Qg(tot) = 109 nC（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n• UIS 能力\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准\n;

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻 和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

FCH104N60F-F085

丝印：FCH104N60F；Package：TO-247；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 37 A, 104 m

Description SUPERFET®IIMOSFETisONSemiconductor’sbrand−newhigh voltagesuper−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesupe