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FCH104N60数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FCH104N60

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FAST,600 V,37 A,104 mΩ,TO-247

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FCH104N60规格书详情

描述 Description

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品,运用电荷平衡技术,可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 这项先进技术专用于最小化传导损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。

特性 Features

•650 V @ TJ = 150°C
•典型值 RDS(on) = 96 mΩ
•超低栅极电荷(典型值 Qg = 63 nC)
•低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 280 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• Industrial Power Supplies
• Telecom / Server Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FCH104N60

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :DC: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :37

  • PD Max (W)

    :357

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :104

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :63

  • Ciss Typ (pF)

    :3130

  • Package Type

    :TO-247-3

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