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FCH041N65F中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，650 V，76 A，41 mΩ，TO-247数据手册ONSEMI规格书
FCH041N65F规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt 速率和较高的雪崩能量而设计。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正 (PFC)、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。
特性 Features
•700 V @ TJ = 150°C
•典型值 RDS(on) = 36 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 226 nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 843 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC - DC Power Supply
• Telecom / Server Power Supplies
• LCD / LED / PDP TV
• Solar Inverter
技术参数
- 制造商编号
：FCH041N65F
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：650
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：76
- PD Max (W)
：595
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：41
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：226
- Ciss Typ (pF)
：9790
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
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