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FCH041N60F_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FCH041N60F_F085

功能描述

600 V、47 A、36 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET™

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FCH041N60F_F085规格书详情

描述 Description

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。

特性 Features

•典型值 RDS(on) = 36 mΩ(VGS = 10 V、ID = 38 A)
•典型值 Qg(tot) = 267 nC(VGS = 10 V、ID = 38 A)
• 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 720 nF)
•100%经过雪崩测试
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合RoHS标准

应用 Application

• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DC converter for HEV

技术参数

  • 制造商编号

    :FCH041N60F_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 600V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :76

  • PD Max (W)

    :595

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :41

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :267

  • Ciss Typ (pF)

    :10900

  • Package Type

    :TO-247-3

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