600 V、47 A、36 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET™

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 •典型值 RDS(on) = 36 mΩ（VGS = 10 V、ID = 38 A）\n•典型值 Qg(tot) = 267 nC（VGS = 10 V、ID = 38 A）\n• 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 720 nF)\n•100%经过雪崩测试\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FCH041N60F；Package：TO-247；MOSFET - N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 76 A, 41 m

Description SUPERFET® II MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide supe

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