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FCH072N60F	文件：587.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FCH072N60	文件：372.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=72mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
FCH072N60F
功能描述：
MOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
600 V
闸/源击穿电压：
20 V
漏极连续电流：
52 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
65 mOhms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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