丝印：FCH104N60F；Package：TO-247；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 37 A, 104 m

Description SUPERFET® II MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide supe

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 37A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 104mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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ISC

无锡固电

N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，600 V，37 A，104 mΩ，TO-247

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。 • RDS（开）=104 mΩ (最大值)\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 107 nC)\n•低效输出电容100%经过雪崩测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，SuperFET II™ FRFET MOSFET 600V，37A，91mΩ

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻 和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。 • 典型值 RDS(on) = 91 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n• 典型值 Qg(tot) = 109 nC（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n• UIS 能力\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准;

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安森美半导体