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FCH104N60F	文件：579.37 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCH104N60F	文件：372.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCH104N60F-F085	文件：407.9 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET – N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 37 A, 104 m Description SUPERFET®IIMOSFETisONSemiconductor’sbrand−newhigh voltagesuper−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesupe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FCH104N60	文件：766.92 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelSuperFETIIMOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCH104N60	文件：771.09 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelSuperFET짰IIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCH104N60	文件：405.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCP104N60	文件：788.1 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperFETIIMOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP104N60	文件：332.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCP104N60F	文件：337.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Lighting •AC-DCPowerSupply •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤104mΩ •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCP104N60F	文件：854.99 Kbytes Page：8 Pages	AC-DCPowerSupply Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FCH104N60F
功能描述：
MOSFET N-Channel SuperFET
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
漏极连续电流：
37 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
104 mOhms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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