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FCH041N60E中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,600 V,77 A,41 mΩ,TO-247数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCH041N60E

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,600 V,77 A,41 mΩ,TO-247

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:03:00

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FCH041N60E规格书详情

描述 Description

SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品,采用先进的电荷平衡技术,实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计,不仅可最大程度地减少传导损耗,而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势,与传统的超级结 MOSFET 相比,该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。

特性 Features

•RDS(on)最大值 = 41 mΩ
•超低栅极电荷(典型值 Qg = 285nC)
•低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 735pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 发电和配电
• 外部AC-DC商用电源-数据处理

技术参数

  • 制造商编号

    :FCH041N60E

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :DC: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :77

  • PD Max (W)

    :592

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :41

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :285

  • Ciss Typ (pF)

    :10300

  • Package Type

    :TO-247-3

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