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FCH023N65S3数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FCH023N65S3

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,650 V,75 A,23 mΩ,TO-247

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FCH023N65S3规格书详情

描述 Description

SuperFET® III MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项先进技术专用于最小化传导损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端 dv/dt 额定值。 因此,SuperFET III MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 DC-AC 功率转换。

特性 Features

•700 V(TJ=150°C 时)
• Higher system reliability at low temperature operation
•超低栅极电荷(典型值 Qg = 222 nC)
• Lower switching loss
•低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 1980 pF)
• Lower switching loss
•典型值 RDS(on) = 19.5 mΩ
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• Telecommunication
• Cloud sstem
• Industrial
• Telecom power
• Server power
• EV Charger
• Solar / UPS

技术参数

  • 制造商编号

    :FCH023N65S3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :650

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :75

  • PD Max (W)

    :595

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :222

  • Ciss Typ (pF)

    :7160

  • Package Type

    :TO-247-3

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