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FCH041N65EFL4中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，650 V，76 A，41 mΩ，TO-247 4L数据手册ONSEMI规格书
FCH041N65EFL4规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 的优化体二极管反向恢复性能可以去掉额外组件，提高系统可靠性。
特性 Features
•700 V（TJ=150°C 时）
•典型值 RDS(on) = 36 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 229 nC）
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 631 pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC Power Supplies
• LCD / LED / PDP TV
• Solar Inverter
• Telecom / Server Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FCH041N65EFL4
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：650
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：76
- PD Max (W)
：595
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：41
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：229
- Ciss Typ (pF)
：9446
- Package Type
：TO-247-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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