FCH043N60中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600 V，75 A，43 mΩ，TO-247数据手册ONSEMI规格书
FCH043N60规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻 和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。
特性 Features
•650 V @ TJ = 150°C
•典型值 RDS(on) = 37 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 163 nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 730 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Industrial Power Supplies
• AC/DC Power Conversion
• Telecom / Server Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FCH043N60
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：75
- PD Max (W)
：592
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：43
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：163
- Ciss Typ (pF)
：9194
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247 |
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