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FCH043N60	文件：431.9 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET II MOSFET 文件：431.9 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCH043N60	文件：406.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：406.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCH043N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600 V，75 A，43 mΩ，TO-247 SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。 •650 V @ TJ = 150°C\n•典型值 RDS(on) = 37 mΩ\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 163 nC)\n•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 730 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多FCH043N60供应商更新时间2026-4-22 9:12:00