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FCH041N65F_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FCH041N65F_F085

功能描述

N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 650V,76A,34mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FCH041N65F_F085规格书详情

描述 Description

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑,如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件,提高系统可靠性。

特性 Features

• 典型值 RDS(on) = 34 mΩ(VGS = 10 V、ID = 38 A)
• 典型值 Qg(tot) = 234 nC(VGS = 10 V、ID = 38 A)
• UIS 能力
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合RoHS标准

应用 Application

• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DC converter for HEV

技术参数

  • 制造商编号

    :FCH041N65F_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel SuperFET II™ FRFET MOSFET 650V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :650

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :76

  • PD Max (W)

    :595

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :41

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :234

  • Ciss Typ (pF)

    :10200

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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