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FCH060N80-F155中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,58 A,60 mΩ,TO-247数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCH060N80-F155

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,58 A,60 mΩ,TO-247

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FCH060N80-F155规格书详情

描述 Description

SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新高电压超结 MOSFET 系列产品,使用电荷平衡技术,实现突出的低通态电阻和较低的栅极电荷性能。 该技术可以使传导损耗降到最低,提供卓越的开关性能,dv/dt 速率和较高的耐雪崩能量。 因此,SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性 Features

•典型值 RDS(on) = 54mΩ
•850 V @ TJ = 150°C
•超低栅极电荷(典型值 Qg = 270 nC)
•低 EOSS(典型值 23 uJ @ 400 V)
•低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 981 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC Power Supply
• LED Lighting

技术参数

  • 制造商编号

    :FCH060N80-F155

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :800

  • VGS Max (V)

    :DC: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :58

  • PD Max (W)

    :500

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :60

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :270

  • Ciss Typ (pF)

    :11040

  • Package Type

    :TO-247-3

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