丝印：FCH060N80；Package：TO-247-3LD；MOSFET ??N-Channel, SUPERFET II 800 V, 58 A, 60 m

Description SUPERFET II MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide super

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ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，800 V，58 A，60 mΩ，TO-247

SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新高电压超结 MOSFET 系列产品，使用电荷平衡技术，实现突出的低通态电阻和较低的栅极电荷性能。 该技术可以使传导损耗降到最低，提供卓越的开关性能，dv/dt 速率和较高的耐雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 •典型值 RDS(on) = 54mΩ\n•850 V @ TJ = 150°C\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 270 nC）\n•低 EOSS（典型值 23 uJ @ 400 V）\n•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 981 pF）\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

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