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FCH060N80_F155中文资料Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® II, 800 V, 58 A, 60 mΩ, TO-247数据手册ONSEMI规格书
FCH060N80_F155规格书详情
描述 Description
SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新高电压超结 MOSFET 系列产品，使用电荷平衡技术，实现突出的低通态电阻和较低的栅极电荷性能。 该技术可以使传导损耗降到最低，提供卓越的开关性能，dv/dt 速率和较高的耐雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•典型值 RDS(on) = 54mΩ
•850 V @ TJ = 150°C
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 270 nC）
•低 EOSS（典型值 23 uJ @ 400 V）
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 981 pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC Power Supply
• LED Lighting
技术参数
- 制造商编号
：FCH060N80_F155
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel SuperFET® II MOSFET 800V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：58
- PD Max (W)
：500
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：60
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：270
- Ciss Typ (pF)
：11040
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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1983 |
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