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FCH104N60F_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书
FCH104N60F_F085规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻 和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。
特性 Features
• 典型值 RDS(on) = 91 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）
• 典型值 Qg(tot) = 109 nC（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）
• UIS 能力
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合RoHS标准
应用 Application
• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DC converter for HEV
技术参数
- 制造商编号
：FCH104N60F_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：AEC QualifiedPPAP CapablePb-free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel SuperFET II™ FRFET MOSFET 600V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：37
- PD Max (W)
：357
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：104
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：109
- Ciss Typ (pF)
：4302
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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