N 沟道，SuperFET II™ FRFET MOSFET 600V，37A，91mΩ

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻 和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。 • 典型值 RDS(on) = 91 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n• 典型值 Qg(tot) = 109 nC（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n• UIS 能力\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FCH104N60F；Package：TO-247；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 37 A, 104 m

Description SUPERFET® II MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide supe

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