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EMB6	文件：61.32 Kbytes Page：1 Pages	丝印：B6；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) 文件：61.32 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB60A06G	文件：195.79 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：195.79 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60A06S	文件：199.66 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 5A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating 文件：199.66 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60B03G	文件：222.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 60mΩ ID ‐5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：222.6 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06A	文件：198.15 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：198.15 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06A	文件：1.00641 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see APPLICATIONS • DC/DC Converters • DC/AC Inverters • Motor Drives 文件：1.00641 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
EMB60N06CS	文件：202.31 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：202.31 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06H	文件：184.4 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 58mΩ ID 15A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：184.4 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60	文件：700.81 Kbytes Page：6 Pages	丝印：B60；Package：EMT6；Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：700.81 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB60A06V	文件：183.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：183.88 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
-50
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Output Current [A]：
-0.1
Equivalent (Single Part)：
DTA023J
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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