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EMB60C06G	文件：217.78 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：217.78 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06C	文件：195.07 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：195.07 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06J	文件：171.8 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：171.8 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06V	文件：195.76 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：195.76 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N10A	文件：231.65 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：231.65 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N10G	文件：183.75 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：183.75 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB61	文件：786.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：B61；Package：EMT6；Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：786.96 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB61	文件：1.04905 Mbytes Page：8 Pages	Complex Digital Transistors 文件：1.04905 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB61_16	文件：1.04905 Mbytes Page：8 Pages	Complex Digital Transistors 文件：1.04905 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
-50
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Output Current [A]：
-0.1
Equivalent (Single Part)：
DTA023J
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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