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EMB60N06A	文件：1.00641 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see APPLICATIONS • DC/DC Converters • DC/AC Inverters • Motor Drives 文件：1.00641 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
EMB60N06A	文件：198.15 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：198.15 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB60N06C	文件：195.07 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：195.07 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06CS	文件：202.31 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：202.31 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06H	文件：184.4 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 58mΩ ID 15A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：184.4 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
12
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
60
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
75
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
13.8
CissTyp.(pF)：
633

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更多EMB60N06A供应商更新时间2025-6-16 9:50:00

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