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EMB60A06S	文件：199.66 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 5A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating 文件：199.66 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60A06S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Dual	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB60A06V	文件：183.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：183.88 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
HFR60A06PD	文件：1.01109 Mbytes Page：3 Pages	Hyperfast Recovery Rectifier 文件：1.01109 Mbytes 页数：3 Pages	YENYO 元耀科技	YENYO
HYD60A06P	文件：421.29 Kbytes Page：2 Pages	low recovery loss 文件：421.29 Kbytes 页数：2 Pages	HY 虹扬科技	HY

技术参数

Channel：
Dual N
BVDSS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
60
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
75
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
13.8
CissTyp.(pF)：
633

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华来深电子有限公司	EMB60A06S	EMC	23+	DIP	8650	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
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更多EMB60A06S供应商更新时间2025-10-4 8:01:00

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