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EMB60A06V

Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:183.88 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB60A06V

Power MOSFETs-Dual

Excelliance MOS

杰力科技

HFR60A06PD

Hyperfast Recovery Rectifier

文件:1.01109 Mbytes 页数:3 Pages

YENYO

元耀科技

HYD60A06P

low recovery loss

文件:421.29 Kbytes 页数:2 Pages

HY

虹扬科技

HYD60A06P

Fast Recovery Epitaxial Diode

文件:340.25 Kbytes 页数:3 Pages

HY

虹扬科技

技术参数

  • Channel:

    Dual N

  • BVDSS(V):

    60

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    6

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    60

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    85

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    13.8

  • CissTyp.(pF):

    633

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EMF
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DFN
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更多EMB60A06V供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00