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DS1230AB-200IND	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1230AB-200IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1230AB-200	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas

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DS1230AB-200IND

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256k Nonvolatile SRAM

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亚德诺亚德诺半导体

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Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1230AB-200

文件：213.86 Kbytes

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256kNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

Dallas

产品属性

产品编号：
DS1230AB-200IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
200ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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更多DS1230AB-200IND供应商更新时间2025-7-12 16:00:00

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