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DS1230Y-70	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
DS1230Y-70	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
DS1230Y-70IND	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
DS1230Y-70-IND	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
DS1230Y-70+	文件：222.21 Kbytes Page：10 Pages	256k Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体
DS1230Y-70+	文件：222.21 Kbytes Page：10 Pages	256k Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体
DS1230Y-70IND+	文件：222.21 Kbytes Page：10 Pages	256k Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体
DS1230Y-70IND+	文件：222.21 Kbytes Page：10 Pages	256k Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体
DS1230Y-70IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
DS1230Y-70IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

产品属性

产品编号：
DS1230Y-70
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DS1230Y-70	MAXIM/美信	23+	DIP28	11360	ADI优势主营型号-原装正品	询价
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深圳市勤思达科技有限公司	DS1230Y-70	DALLAS	23+	DIP	8000	全新原装现货,欢迎来电咨询	询价
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更多DS1230Y-70供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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