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DS1230Y-200+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1230Y-200IND	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio 文件：213.86 Kbytes 页数：12 Pages	DALLAS	DALLAS
DS1230Y-200-IND	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio 文件：213.86 Kbytes 页数：12 Pages	DALLAS	DALLAS
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DS1230Y-200	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
DS1230Y-200+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
200ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	DS1230Y-200+	Maxim(美信)	24+	标准封装	17048	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	DS1230Y-200+	MAXIM(美信)	2022+原装正品	EDIP-28	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	DS1230Y-200+	Analog Devices Inc./Maxim Inte	24+ 25+		18500	全新原厂原装现货!受权代理!可送样可提供技术支持!	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	DS1230Y-200+	ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)	24+	DIP-28	16508	原装正品现货支持实单	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	DS1230Y-200+	Maxim Integrated	24+	28-EDIP	56200	一级代理/放心采购	询价

更多DS1230Y-200+供应商更新时间2026-10-9 23:00:00

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