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DS1230Y-200IND	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio 文件：213.86 Kbytes 页数：12 Pages	Dallas	Dallas
DS1230Y-200IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1230Y-200IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1230Y-200	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DS1230Y-200	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio 文件：213.86 Kbytes 页数：12 Pages	Dallas	Dallas

产品属性

产品编号：
DS1230Y-200IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
200ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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