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DS1230YP-100+

Package:34-PowerCap™ 模块;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP

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亚德诺

DS1230YP-100-IND

256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio

文件:213.86 Kbytes 页数:12 Pages

Dallas

DS1230YP-100

256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio

文件:213.86 Kbytes 页数:12 Pages

Dallas

DS1230YP-100+

SMD-34P

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS1230YP-70IND+

SMD-34P

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

产品属性

  • 产品编号:

    DS1230YP-100+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    100ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    34-PowerCap™ 模块

  • 供应商器件封装:

    34-PowerCap 模块

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DS1230YP-100+供应商 更新时间2025-12-11 15:01:00