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DS1245Y-120+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1245Y-120	文件：221.24 Kbytes Page：12 Pages	1024kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas

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DS1245Y-120+

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1245Y-120

文件：221.24 Kbytes

Page：12 Pages

1024kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc

Dallas

Dallas Semiconductor Corp.

Dallas

产品属性

产品编号：
DS1245Y-120+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
120ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
32-EDIP
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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