3.3V 256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1230W 3.3V 256k Nonvolatile SRAM is a 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry, which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a cond

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DESCRIPTION The DS1230W 3.3V 256k Nonvolatile SRAM is a 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry, which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a cond

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3.3V、256k非易失SRAM

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。PowerCap模块封装的DS1230W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SR • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作 \n• 100ns的读写时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND\n• JEDEC标准的28引脚DIP封装 \n• PowerCap模块(PCM)封装\n• 表面贴装模块\n• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池 \n• 所有非易失SRAM器件提供标准引脚 \n• 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸;

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