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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
DS1230W-100+ | 3.3V 256k Nonvolatile SRAM 文件：202.92 Kbytes 页数：10 Pages | Maxim 美信 | Maxim | |
DS1230W-100+ | Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | AD 亚德诺 | AD | |
3.3V 256k Nonvolatile SRAM 文件：202.92 Kbytes 页数：10 Pages | Maxim 美信 | Maxim | ||
3.3V 256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1230W 3.3V 256k Nonvolatile SRAM is a 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry, which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a cond 文件：214.24 Kbytes 页数：11 Pages | Dallas | Dallas |
产品属性
- 产品编号：
DS1230W-100+
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
- 供应商器件封装：
28-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Maxim(美信) |
24+ |
标准封装 |
10548 |
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MAXIM |
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ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) |
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DIP-28 |
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MAXIM |
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MAXIM(美信) |
2021+ |
EDIP-28 |
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Maxim Integrated |
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原厂原包装 |
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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- SN74AC11N
- SN74ALVC00NSR
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- MB3A0M4
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