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|---|---|---|---|---|
DS1230W-100 | 3.3V 256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacond | DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体 | Dallas | |
DS1230W-100 | Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | |
3.3V 256k Nonvolatile SRAM | MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体 | Maxim | ||
3.3V 256k Nonvolatile SRAM | MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体 | Maxim | ||
Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD |
产品属性
- 产品编号：
DS1230W-100
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
- 供应商器件封装：
28-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
24+ |
20000 |
询价 | ||||
DALLAS |
23+ |
DIP |
9896 |
询价 | |||
DALLAS |
24+ |
2645 |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
询价 | |||
DALLAS |
24+ |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
询价 | |||
MAXIM |
23+ |
MOD |
8888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
DALLAS |
23+ |
MOD |
65480 |
询价 | |||
Maxim Integrated |
24+ |
28-EDIP |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Maxim |
24+ |
28DIP |
2838 |
原装现货 |
询价 | ||
MAXIM |
20+ |
DIP-28 |
1001 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
DALLAS |
23+ |
DIP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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