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DS1230W-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1230W-100IND+	文件：202.92 Kbytes Page：10 Pages	3.3V 256k Nonvolatile SRAM 文件：202.92 Kbytes 页数：10 Pages	Maxim 美信	Maxim
DS1230W-100IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1230W-100	文件：214.24 Kbytes Page：11 Pages	3.3V 256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1230W 3.3V 256k Nonvolatile SRAM is a 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry, which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a cond 文件：214.24 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
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更多DS1230W-100IND供应商更新时间2025-10-7 17:00:00